发明名称 Method for fabricating triple gate oxide of semiconductor device
摘要
申请公布号 KR100917058(B1) 申请公布日期 2009.09.10
申请号 KR20020086134 申请日期 2002.12.28
申请人 发明人
分类号 H01L21/31 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
主权项
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