Ätzstoppschicht mit geringerer Dicke zum Strukturieren eines dielektrischen Materials in einer Kontaktebene dichtliegender Transistoren

摘要

In einem dualen Verspannungsschichtschema wird ein Zwischenätzstoppmaterial auf der Grundlage eines plasmaunterstützten Oxidationsprozesses anstelle einer Abscheidung vorgesehen, so dass die entsprechende Dicke des Ätzstoppmaterials verringert werden kann. Folglich ist das sich ergebende Aspektverhältnis im Vergleich zu konventionellen Strategien weniger ausgeprägt, wodurch sich durch die Abscheidung hervorgerufene Unregelmäßigkeiten reduzieren, was wiederum zu einer deutlichen Verringerung von Ausbeuteverlusten führt, insbesondere wenn stark größenreduzierte Halbleiterbauelemente betrachtet werden.