| 摘要 |
<p>【課題】ベースをフィンに圧入する際に生じる半導体チップに対する応力を低減し、電気的特性の劣化を防止して信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】チップ搭載面とベース底面との間に連続的に設けられた領域であるｈ１の高さと溝底部とベース底面の間に連続的に設けられた領域であるｈ２の高さをｈ１の高さ１００％に対し９５％以下とする。これによりオルタネータに形成されたフィンに嵌合される際に半導体チップに平行方向から応力が印加される事が防止される。これにより半導体チップに対し平行方向からの応力と垂直方向からの応力の双方が軽減され半導体チップの破壊を効果的に防止する事が出来る。【選択図】図１</p> |
