| 摘要 |
<p>Die Anmeldung betrifft eine Vorrichtung zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halbleiterwafern. Die Vorrichtung besitzt wenigstens eine Strahlungsquelle und eine das Substrat aufnehmende Behandlungskammer mit einem oberen Wandelement und einem unteren Wandelement, wobei wenigstens eines der Wandelemente benachbart zu der wenigstens einen Strahlungsquelle liegt und für die Strahlung der Strahlungsquelle im Wesentlichen transpartent ist. Des Weiteren sieht die Vorrichtung wenigstens eine erste Gaseinlassvorrichtung vor. Die erste Gaseinlassvorrichtung weist ein Plattenelement, das in der Behandlungskammer zwischen dem Substrat und dem oberen Wandelement angeordnet ist, einen Kragenring, angeordnet zwischen dem Plattenelement und dem oberen Wandelement, sowie einen sich wenigstens teilweise in der Behandlungskammer erstreckenden ersten Gasführungskanal auf. Das Plattenelement besitzt einen größeren Durchmesser als das Substrat und in einem dem Durchmesser des Substrat ungefähr entsprechenden Lochbereich eine Vielzahl von Durchgangslöchern. Der Kragenring umgibt den Lochbereich und besitzt wenigstens eine Einlassöffnung. Der erste Gasführungskanal besitzt einen Auslass, der mit der Einlassöffnung des Kragenrings ausgerichtet ist, wobei eine aus dem Auslass austretende Gasströmung eine Hauptströmungsrichtung besitzt, die an einem Mittelpunkt des Kragenrings vorbeigerichtet ist.</p> |
