发明名称 |
Verfahren zum Implantieren einer Ionensorte in einer Mikrostruktur durch gleichzeitiges Reinigen der Implantationsanlage |
摘要 |
Durch Betreiben einer Implantationsanlage mit einem Quellengas, das einen Halogenanteil von 66 Atomprozent oder weniger im Vergleich zur Gesamtzusammensetzung des Quellengases besitzt, kann eine In-situ-Reinigungswirkung erreicht werden, während ein Implantationsprozess ausgeführt wird.
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申请公布号 |
DE102008011929(A1) |
申请公布日期 |
2009.09.10 |
申请号 |
DE200810011929 |
申请日期 |
2008.02.29 |
申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES INC.;AMD FAB 36 LIMITED LIABILITY COMPANY & CO. KG |
发明人 |
KRUEGER, CHRISTIAN;KOCIS, RASTISLAV;BRAUN, MAREK;HAUPTMANN, NIELS-WIELAND;SEIDEL, HEINZ |
分类号 |
H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/265 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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