发明名称 Verfahren zum Implantieren einer Ionensorte in einer Mikrostruktur durch gleichzeitiges Reinigen der Implantationsanlage
摘要 Durch Betreiben einer Implantationsanlage mit einem Quellengas, das einen Halogenanteil von 66 Atomprozent oder weniger im Vergleich zur Gesamtzusammensetzung des Quellengases besitzt, kann eine In-situ-Reinigungswirkung erreicht werden, während ein Implantationsprozess ausgeführt wird.
申请公布号 DE102008011929(A1) 申请公布日期 2009.09.10
申请号 DE200810011929 申请日期 2008.02.29
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES INC.;AMD FAB 36 LIMITED LIABILITY COMPANY & CO. KG 发明人 KRUEGER, CHRISTIAN;KOCIS, RASTISLAV;BRAUN, MAREK;HAUPTMANN, NIELS-WIELAND;SEIDEL, HEINZ
分类号 H01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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