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Ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung, die einen bipolaren PNP-Transistor umfasst, umfasst das Bilden eines Kollektors in einem Substrat, das Abscheiden einer Basisschicht und einer Emitterschicht auf dem Substrat und das Wachsen einer Nitridgrenzflächenschicht auf der Basisschicht als Basisstrom-Modulationsmittel, derart, dass die Nitridgrenzflächenschicht zwischen der Basisschicht und der Emitterschicht angeordnet ist.
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