| 发明名称 | 制造双极晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了制造双极晶体管的较简单的替代方法，所述双极晶体管包括与集电极区(21)相邻的沟槽(7)中的场电极(17)，所述场电极(17)使用降低表面场(Resurf)效应。Resurf效应重新修整集电极区(21)中的电场分布，使得在相同的集电极基极击穿电压下，集电极区(21)的掺杂浓度可以有效地提高，从而获得了减小的集电极电阻以及提高的双极晶体管速度。本方法包括在第一基极层(4)中形成基极窗口(6)从而暴露集电极区(21)的顶表面以及部分隔离区(3)的步骤。通过移除隔离区(3)的暴露部分来形成沟槽(7)，然后在沟槽(7)的表面上形成绝缘层(9，10)。在绝缘层(10)上形成第二基极层(13)，从而形成场电极(17)；在集电极区(21)的顶表面上形成第二基极层，从而形成基极区(31)；以及在第一基极层(4)的侧壁上形成第二基极层，从而形成第一基极层(4)、基极区(31)和场电极(17)之间的电连接。在基极区(31)的顶部上形成发射极区(41)，从而形成Resurf双极晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN101529568A | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200780031605.5 | 申请日期 | 2007.08.29 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 约翰内斯·J·T·M·东科尔斯;塞巴斯蒂安·努汀克;纪尧姆·L·R·博卡尔迪;弗朗索瓦·纳耶 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 源;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种在半导体衬底(1)上制造双极晶体管的方法，包括如下步骤：-在半导体衬底(1)上提供由第一半导体材料构成的集电极区(21)，所述集电极区(21)为第一导电类型并且与隔离区(3)相邻；-在集电极区(21)和隔离区(3)上形成由第二半导体材料构成的第一基极层(4)，所述第一基极层(4)为与第一导电类型相反的第二导电类型；-在第一基极层(4)中形成具有底表面和侧壁的基极窗口(6)，所述底表面使得集电极区(21)的顶表面和隔离区(3)的一部分暴露出来，所述侧壁使得第一基极层(4)的侧壁暴露出来；-通过移除被基极窗口(6)暴露的隔离区(3)的部分来形成沟槽(7)，所述沟槽(7)与集电极区(21)和隔离区(3)的剩余部分相邻；-在沟槽(7)的表面上形成绝缘层(10)；-在第一基极层(4)的侧壁上、绝缘层(10)上以及集电极区(21)的顶表面上形成由第二导电类型的第三半导体材料构成的第二基极层(13)，从而在沟槽(7)中形成场电极(17)并且形成在集电极区(21)上延伸的基极区(31)，其中第一基极层(4)与场电极(17)和基极区(31)具有电连接；以及-在基极窗口(6)中的基极区(31)的顶部形成第一导电类型的发射极区(41)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||