| 发明名称 | 金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，包括：在半导体衬底的互连结构表面形成第一钝化层；图案化所述钝化层，并沉积第一金属形成焊盘和导线；所述焊盘用作下电极板，所述导线用作上电极板连接线；在具有焊盘、导线和钝化层的衬底表面沉积电介质层；刻蚀上电极板连接线表面的电介质层以便露出上电极板连接线；在所述电介质层和上电极板连接线表面沉积第二金属层作为上电极板；在所述上电极板表面沉积第二钝化层；刻蚀所述第二钝化层、第二金属层和电介质层形成绝缘沟槽。本发明的方法能够利用器件表层的铝焊盘和布线形成MIM电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN100539016C | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200710040236.8 | 申请日期 | 2007.04.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 宁先捷 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种金属-绝缘体-金属电容器的制造方法，包括：在半导体衬底的互连结构表面形成第一钝化层；图案化所述第一钝化层，在图案化所述第一钝化层形成的沟槽中沉积第一金属形成焊盘层和导线；所述焊盘层用作下电极板，所述导线用作上电极板连接线；在具有焊盘、导线和第一钝化层的衬底表面沉积电介质层；刻蚀上电极板连接线表面的电介质层以便露出上电极板连接线；在所述电介质层和上电极板连接线表面沉积第二金属层作为上电极板；在所述上电极板表面沉积第二钝化层；刻蚀所述第二钝化层、第二金属层和电介质层形成绝缘沟槽。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||