| 发明名称 | 装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在用于制造柔性存储器件和半导体器件的方法中，在具有分离层的衬底上形成包括元件层和封闭元件层的绝缘层的叠层，并且从分离层分离该叠层。元件层包括存储器元件，存储器元件具有在一对电极之间的包含有机化合物的层、第一电极层和第二电极层，并且使用包含锡的合金层形成一对电极层的至少一层。柔性存储器件和半导体器件包括存储器元件，存储器元件具有在一对电极之间的包含有机化合物的层、第一电极层和第二电极层，并且使用包含锡的合金层形成一对电极层的至少一层。 | ||
| 申请公布号 | CN101529596A | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200780039256.1 | 申请日期 | 2007.11.21 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 汤川干央;杉泽希;永田贵章;吉富修平;相泽道子 |
| 分类号 | H01L27/28(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 1.一种包括存储器元件的装置，该存储器元件包括在第一电极层和第二电极层之间的包含有机化合物的层，其中该第二电极层包括包含锡和银的合金。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||