编程和禁止多电平非易失性存储单元的方法及系统

摘要

本发明提供一种多电平非易失性存储单元编程/闭锁方法及系统(100)。该非易失性存储单元包括：第一组的一个或多个存储单元，其被选择用于保存等于或大于第一预定电荷电平(504)的电荷；第二组的一个或多个存储单元，其被选择用于保存等于或大于第二预定电荷电平的电荷；将该存储设备配置成对第一和第二组存储单元同时编程，并禁止对任何已经达到或超过第一预定电荷电平的存储单元进行编程，直到第一组中所有的存储单元都已经达到或超过第一预定电荷电平。

主权项

1、一种对复数个非易失性存储单元进行编程使其具有复数个阈值电压电平的方法，该方法包括：使用至少一个电压脉冲对所述存储单元进行编程；在至少一个电压脉冲之后，如果没有存储单元达到或超过第一预定阈值电压电平则继续编程，该第一预定阈值电压电平代表第一组数据位；禁止对已经达到或超过该第一预定阈值电压电平的任何存储单元进行编程；判定是否所有被选择以保存该第一组数据位的存储单元都已经达到或超过该第一预定阈值电压电平；如果被选择以保存该第一组数据位的至少一个存储单元没有达到或超过该第一预定阈值电压电平，则继续对未被禁止的存储单元进行编程；如果所有被选择以保存该第一组数据位的存储单元都已经达到或超过该第一预定阈值电压电平，则判定是否所有被选择以保存第二或第三组数据位的存储单元都已经达到或超过该第一预定阈值电压电平；如果被选择以保存第二或第三组数据位的至少一个存储单元没有达到或超过该第一预定阈值电压电平，则继续对未被禁止的存储单元进行编程直到所有被选择以保存第二或第三组数据位的存储单元都已达到或超过该第一预定阈值电压电平；和如果所有被选择以保存第二或第三组数据位的存储单元都已经达到或超过该第一预定阈值电压电平，则继续对所有被选择以保存第二或第三组数据位的存储单元进行编程。