蓝宝石衬底、使用该蓝宝石衬底的氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法

摘要

本发明实现能够通过气相法使晶体m面生长的廉价的衬底。在蓝宝石衬底(1)中，在生长GaN等的晶体(2)之际，作为该晶体(2)的模板的生长面(3)，通过研磨工序来制作相对于m面(4)倾斜预先设定的微小角度的斜切面，来形成具有台阶(5)和平台(6)的阶梯状台阶衬底。从而，即使使用通常不生长m面(无极性面)GaN膜的廉价的蓝宝石衬底(1)来作为结晶生长用衬底，也能够通过有利于器件制作的气相法，使GaN晶体从作为a面的各台阶(5)的面起在平台(6)上沿c轴生长，外延生长的良好的GaN单结晶继续生长，使m面为平台(6)的表面的相反侧，同时各台阶(5)一体化(融合)，能够利用穿透位错(threading dislocation)少的GaN单结晶衬底制造器件。而且，通过使用m面能够消除压电电场的影响。

主权项

1.一种蓝宝石衬底，用于结晶生长，其特征在于：作为生长面，具有相对于m面以预先设定的微小角度倾斜的斜切面。