半导体装置的形成方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的结构与形成方法，其具有浅沟槽隔离结构在绝缘层上覆硅的基底中。其结构包含浅沟槽隔离结构围绕孤岛状的绝缘层上覆硅结构。上述浅沟槽隔离结构包含在上述基底上的第二外延层、与在上述第二外延层上的第二介电层。半导体装置的形成方法包含在基底上形成介电层、与以穿透上述介电层的隔离沟槽围绕上述基底中的装置形成区。上述方法亦包含以第一外延层填入上述沟槽、与在上述装置形成区与上述第一外延层上形成第二外延层。然后以隔离介电质取代一部分的上述第一外延层，然后在上述装置形成区中的上述第二外延层中形成装置例如为晶体管。

主权项

1. 一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包含：在基底上形成介电层；图形化该介电层，以在其中形成沟槽；施以外延成长的步骤，使第一外延层成长在该沟槽内，同时避免在该介电层上发生该第一外延层的外延成长；以及施以外延成长的步骤，在该第一外延层上形成第二外延层，该第二外延层延伸至该介电层。