几何形状允许频繁体接触的MOSFET器件

摘要

提供了一种MOSFET器件设计，其有效解决了由器件固有的寄生双极型晶体管所引起的问题。MOSFET器件包括：(a)体区；(b)多个体接触区；(c)多个源区；(d)多个漏区；及(d)栅区。在俯视图中，源区和漏区在正交行列内排列，且至少部分体接触区以四个源区和漏区为边界，优选为以两个源区和两个漏区为边界。

主权项

1. 一种MOSFET器件，包括：具有上表面的第一导电型的半导体区；多个第二导电型的源区，形成于所述半导体区的上部分中，与所述上表面毗邻；多个所述第二导电型的漏区，形成于所述半导体区的上部分中，与所述上表面毗邻，其中，所述源区和所述漏区以正交行列形式交替排列；多个所述第一导电型的体接触区，形成于所述半导体区的上部分中，与所述上表面毗邻，其中，所述多个体接触区的每个被四个八边形包围，在该四个八边形中，两个为源区，两个为漏区；所述体接触区的净掺杂浓度高于所述半导体区的净掺杂浓度；及设置在所述半导体区的所述上表面上的栅区，所述栅区包含：(a)栅电极区，其中所述栅电极区包括具有用于所述多个源区、所述多个漏区和所述多个体接触区的开口的连续区及(b)栅电介质层，设置在所述栅电极区和所述半导体区之间，其中，当从所述上表面上观看时，所述源区和所述漏区以正交行列形式排列，且其中，至少部分所述体接触区以所述源区和漏区中的四个为边界，及其中，所述多个源区或所述多个漏区的周界内的体接触区完全被所述栅电极区包围。