发明名称 |
在光罩上制作倾斜线路的方法 |
摘要 |
本发明公开了在光罩上制作倾斜线路的方法,将待曝光的矩形图案分成若干面积相同的第一矩形区域,用相同的电子束剂量在各个第一矩形区域曝光;在光罩的阻剂层上形成第一阻剂矩形图案;将第一阻剂矩形图案分成若干面积不同的第二矩形区域,用不同的电子束剂量在各个第二矩形区域曝光;在光罩的阻剂层上形成第二阻剂矩形图案;根据重叠间距,将多个第二阻剂矩形图案重叠放置,形成倾斜线路;经过显影、去阻剂层以及蚀刻过程后在光罩上形成倾斜线路。所述的通过控制电子束尺寸、电子束剂量和矩形图案重叠间距,使倾斜线路的分辨率提高,不同倾斜角度线路的临界尺寸差距减小。 |
申请公布号 |
CN100538513C |
申请公布日期 |
2009.09.09 |
申请号 |
CN200710126598.9 |
申请日期 |
2007.06.22 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
郑成镐 |
分类号 |
G03F1/00(2006.01)I;G03F1/14(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
1. 一种在光罩上制作倾斜线路的方法,包括下列步骤:将待曝光的矩形图案分成若干面积相同的第一矩形区域,位于该矩形图案两端的第一矩形区域为第一边缘区域;用相同的电子束剂量在各个第一矩形区域曝光;在光罩的阻剂层上形成第一阻剂矩形图案;将第一阻剂矩形图案分成若干第二矩形区域,位于该第一阻剂矩形图案两端的第二矩形区域为第二边缘区域,第二边缘区域的面积比第一边缘区域面积小;第二边缘区域采用比第一边缘区域小的电子束剂量曝光,非边缘第二矩形区域采用与第一矩形区域相同的电子束剂量曝光;在光罩的阻剂层上形成第二阻剂矩形图案;根据重叠间距,重复上述步骤,形成多个第二阻剂矩形图案,并且将该多个第二阻剂矩形图案重叠放置,形成倾斜线路;经过显影、去阻剂层以及蚀刻过程后在光罩上形成倾斜线路。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |