界面粗糙度降低膜、其原料、由其制得的布线层和半导体器件、制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供获得TDDB耐性高和泄漏电流小的布线层的技术，并因此，提供制造高度可靠的低耗电量半导体器件的技术，其中形成一种界面粗糙度降低膜，其与绝缘体膜接触，还在其另一面的表面与布线接触，而且布线和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度比绝缘体膜和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度小。

主权项

1. 用于形成界面粗糙度降低膜的材料，所述界面粗糙度降低膜与绝缘体膜接触且在其另一面表面与布线接触，其中所述布线和所述界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度小于所述绝缘体膜与所述界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度，所述材料包括一种硅化合物，该硅化合物满足具有平均分子量不多于1000的条件和在一个分子中具有20或更少的硅原子的另一个条件中的至少一个条件；所述硅化合物选自由有机硅烷、有机硅烷的缩合物及其混合物构成的组；所述材料包括一种溶剂，该溶剂与包含在通过对所述的有机硅烷进行水解所得产物中的组分相同。