半导体装置制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一半导体基底，包括一第一有源区以及一第二有源区；一第一硅化结构，形成于该第一有源区，其中该第一硅化结构具有一第一金属浓度；以及一第二硅化结构，形成于该第二有源区，其中该第二硅化结构具有一第二金属浓度，该第二金属浓度不等于该第一金属浓度。本发明的半导体装置及其制造方法在简化整体CMOS制造工艺整合的同时，达到调整PMOS与NMOS装置之间功能的特性，并且本发明所揭示的技术也可在相同的集成电路中提供具有不同栅极高度的栅极。

主权项

1. 一种半导体装置的制造方法，包括：提供一半导体基底，该半导体基底包括一第一有源区以及一第二有源区；于该第一有源区中形成一第一多晶硅层以及插介于该第一多晶硅层之间的一第一蚀刻停止层；于该第二有源区中形成一第二多晶硅层以及插介于该第二多晶硅层之间的一第二蚀刻停止层，其中位于该一及第二蚀刻停止层下方的第一及第二多晶硅层的具有不同的高度；分别于该第一及第二多晶硅层的侧壁上形成一第一及第二密封层；分别于该第一及第二多晶硅层的侧壁上形成一第一及第二间隙壁，其中该第一密封层位于该第一多晶硅层及第一间隙壁之间，该第二密封层位于该第二多晶硅层及第二间隙壁之间；进行一第一蚀刻步骤以同时移除分别位于该第一及第二蚀刻停止层上方的第一及第二多晶硅层；进行一第二蚀刻步骤以同时移除该第一及第二蚀刻停止层，并保留位于该第一及第二蚀刻停止层下方的第一及第二多晶硅层，其中于该第二蚀刻步骤期间，该第一及第二密封层分别保护该第一及第二间隙壁；于移除该第一及第二蚀刻停止层后，分别于该第一及第二多晶硅层的上方形成第一及第二金属层；进行一退火步骤以使该第一多晶硅层及第一金属层形成一第一金属硅化栅极，并使该第二多晶硅层及第二金属层形成一第二金属硅化栅极，其中该第一金属硅化栅极与第二金属硅化栅极具有不同的高度或不同的金属浓度。