| 发明名称 | 磁阻元件 | ||
| 摘要 | 根据本发明一个方面的一种磁阻元件包括其磁化状态改变的自由层和其磁化状态固定的钉扎层。所述自由层包括第一和第二铁磁性层以及设置在所述第一和第二铁磁性层之间的非磁性层。设定所述第一和第二铁磁性层之间的交换耦合强度，以使星形曲线沿难磁化方向开口。 | ||
| 申请公布号 | CN100539231C | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200610141248.5 | 申请日期 | 2006.09.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 池川纯夫;中山昌彦;甲斐正;北川英二;与田博明 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01F10/00(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李 峥 |
| 主权项 | 1. 一种磁阻元件，包括：其磁化状态改变的自由层；以及其磁化状态固定的钉扎层，所述自由层包括：第一和第二铁磁性层；以及设置在所述第一和第二铁磁性层之间的非磁性层，其中将所述第一和第二铁磁性层之间的交换耦合强度设定为12p4≤hj≤580p4，其中p＝t2/t1，其中t1和t2分别表示所述第一和第二铁磁性层的厚度，并且，将所述非磁性层的厚度设定为0.7nm或更大。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||