发明名称 | 使用介电层封装器件的方法 | ||
摘要 | 一种用于封装第一器件(14,46)的方法,所述第一器件具有第一主表面和第二主表面。在第一器件(14,46)的第二主表面上方以及围绕第一器件的侧面形成密封剂(18)。这保留第一器件的第一主表面被暴露。在第一器件(14)的第一主表面上方形成第一介电层(20)。形成侧面接触接口(36,16;48,56,46;48,56,70,72),该侧面接触接口至少有一部分在第一介电层(20)上方。切割该密封剂(18)从而形成密封剂的多个侧面(62,64)。沿着该多个侧面的第一侧面(64)去除该密封剂(18)的一部分从而沿着该多个侧面的第一侧面暴露该侧面接触接口的一部分(72,46,16)。 | ||
申请公布号 | CN101530012A | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
申请号 | CN200780039557.4 | 申请日期 | 2007.10.05 |
申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | M·A·曼格鲁姆;K·R·布尔克 |
分类号 | H05K3/30(2006.01)I | 主分类号 | H05K3/30(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 申发振 |
主权项 | 1.一种封装具有第一主表面和第二主表面的第一器件的方法,包含以下步骤:在第一器件的第二主表面上方以及围绕第一器件的侧面形成密封剂,并且保留第一器件的第一主表面被暴露;在第一器件的第一主表面上方形成第一介电层;形成侧面接触接口,所述侧面接触接口至少有一部分在第一介电层上方;切割所述密封剂从而形成所述密封剂的多个侧面;以及沿着所述多个侧面中的第一侧面去除所述密封剂的一部分从而沿着所述多个侧面的所述第一侧面暴露所述侧面接触接口的一部分。 | ||
地址 | 美国得克萨斯 |