| 发明名称 | 布线膜的形成方法、晶体管以及电子装置 | ||
| 摘要 | 形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜(22)相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。 | ||
| 申请公布号 | CN101529567A | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200780040499.7 | 申请日期 | 2007.12.26 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 高泽悟;武井应树;高桥明久;片桐弘明;浮岛祯之;谷典明;石桥晓;增田忠 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种布线膜的形成方法，在成膜对象物的硅或者二氧化硅露出的表面上形成布线膜，其中，向放置有所述成膜对象物的真空环境中导入氧气和溅射气体，在含氧的真空环境中，对第一纯铜靶进行溅射，在所述成膜对象物的表面上形成阻挡膜，之后，在停止向放置有所述成膜对象物的真空环境中导入氧气的状态下，对第二纯铜靶进行溅射，在所述阻挡膜的表面上形成低电阻膜，刻蚀所述阻挡膜和所述低电阻膜，形成所述布线膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||