| 发明名称 | 半导体装置的制造方法和半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体装置的制造方法和半导体装置，其能够不对元件构造部造成损伤地除去侧壁隔离膜等。半导体装置的制造方法包括：在被处理基体(21)上形成由GeCOH或者GeCH构成的第一薄膜的工序；除去该第一薄膜的一部分，形成残留部(30)的工序；和通过已除去上述第一薄膜的空间，在上述被处理基体(21)上实施规定的处理的处理工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101529571A | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200780038899.4 | 申请日期 | 2007.10.10 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 吹上纪明;加藤良裕;有门经敏 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在被处理基体上形成由GeCOH或者GeCH构成的第一薄膜的工序；除去该第一薄膜的一部分而形成残留部的工序；和通过已除去所述第一薄膜的空间，在所述被处理基体上实施规定的处理的处理工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||