| 发明名称 | 改性聚铝硅氧烷 | ||
| 摘要 | 本发明涉及改性聚铝硅氧烷。本发明提供不仅耐热性，而且透明性、粘合性、片材成型性良好的改性聚铝硅氧烷，含有该改性聚铝硅氧烷而成的光半导体元件封装材料，以及使用该封装材料封装光半导体元件而成的光半导体装置。所述改性聚铝硅氧烷是通过使式(I)表示的硅烷偶联剂与聚铝硅氧烷反应而得到的。式中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>，分别独立地表示烷基或烷氧基，X表示甲基丙烯酰氧基、环氧丙氧基、氨基、乙烯基或巯基，其中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>之中，至少2者为烷氧基。 | ||
| 申请公布号 | CN101525437A | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200910004596.1 | 申请日期 | 2009.03.06 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 片山博之;赤泽光治 |
| 分类号 | C08G77/398(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | C08G77/398(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 熊玉兰;孙秀武 |
| 主权项 | 1.改性聚铝硅氧烷，其是通过使式(I)表示的硅烷偶联剂与聚铝硅氧烷反应而得到的，<img file="A2009100045960002C1.GIF" wi="850" he="260" />式中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>，分别独立地表示烷基或烷氧基，X表示甲基丙烯酰氧基、环氧丙氧基、氨基、乙烯基或巯基，其中，R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>及R<sup>3</sup>之中，至少2者为烷氧基。 | ||
| 地址 | 日本大阪府茨木市下穗积1丁目1番2号 | ||