发明名称 |
生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法 |
摘要 |
本发明是一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法,所述方法是在生长氮化铟的同时通入少量卤化物,其包括如下步骤:选择一衬底;将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内,升温并通入氨气预处理;降温至生长温度,同时通入三甲基铟(TMI)、氨气(NH<sub>3</sub>)、少量卤化物,生长出高质量的氮化铟单晶外延膜。本发明可以提高InN的结晶质量,并提高表面的平整度。 |
申请公布号 |
CN101525740A |
申请公布日期 |
2009.09.09 |
申请号 |
CN200810101357.3 |
申请日期 |
2008.03.05 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
王莉莉;张书明;杨辉;梁骏吾 |
分类号 |
C23C16/34(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/34(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1. 一种生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:选择一衬底;将衬底放入金属有机物化学气相沉积系统内,升温并通入氨气预处理;降温至生长温度,同时通入三甲基铟(TMI)、氨气(NH3)、卤化物,生长出氮化铟单晶外延膜。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |