| 发明名称 | 低温双离子束溅射Ge/Si多层膜自组织Ge量子点的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种低温双离子束溅射Ge/Si多层膜自组织Ge量子点的制备方法，使用氩(Ar)气作为工作气体，包括两个离子束溅射枪，其特征在于在工作室本底真空压强小于3.0×10<sup>-4</sup>Pa，基片温度为200℃～400℃，工作气体(Ar)真空度为1.0×10<sup>-2</sup>Pa～4.0×10<sup>-2</sup>Pa的条件下，用双离子束溅射技术在硅(Si)基底材料上交替溅射沉积Si空间层和Ge量子点层。它利用前一层Ge量子点所产生的表面应变势场作用，实现后续层Ge量子点的有序生长，提高了薄膜表面平整度和成膜质量，获得了高密度、尺寸均匀、能满足量子尺寸效应的Ge/Si多层膜自组织Ge量子点，解决了与集成电路工艺技术相兼容的问题，且生产成本低，易于工业化规模生产。 | ||
| 申请公布号 | CN100537831C | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200610048899.X | 申请日期 | 2006.12.11 |
| 申请人 | 云南大学 | 发明人 | 杨宇;孔令德;宋超;张曙 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 昆明正原专利代理有限责任公司 | 代理人 | 徐玲菊 |
| 主权项 | 1、一种低温双离子束溅射Ge/Si多层膜自组织Ge量子点的制备方法，包括离子束真空溅射，并使用氩气作为工作气体，其特征在于在生长室本底压强小于3.0×10-4Pa，基片温度为200℃～400℃，工作气体Ar压强为1.0×10-2Pa～4.0×10-2Pa的条件下，用双离子束在硅基片上交替溅射沉积Si空间层和Ge量子点层。 | ||
| 地址 | 650091云南省昆明市五华区翠湖北路2号 | ||