| 发明名称 | Sb掺杂生长p型Zn<sub>1-x</sub>Mg<sub>x</sub>O晶体薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开的Sb掺杂生长p型Zn<sub>1-x</sub>Mg<sub>x</sub>O晶体薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯ZnO、MgO和Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉末混合烧结的陶瓷靶，其中Mg的摩尔百分含量x为0＜x＜20％，Sb的摩尔百分含量y为0＜y＜5％。将衬底清洗后放入脉冲激光沉积装置生长室中，生长室抽真空，在压强为0.1～1Pa的纯氧气氛下生长，生长温度为300～500℃。本发明方法简单，p型掺杂浓度可以通过调节靶材中Sb的摩尔百分含量控制；由于掺杂元素来自靶材，因此可以实现高浓度掺杂；本方法制得的p型Zn<sub>1-x</sub>Mg<sub>x</sub>O晶体薄膜具有良好的电学性能，载流子浓度为10<sup>15</sup>～10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>。 | ||
| 申请公布号 | CN100537855C | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200710070938.0 | 申请日期 | 2007.08.21 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 叶志镇;潘新花;林均铭;朱丽萍;赵炳辉 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1. Sb掺杂生长p型Zn1-xMgxO晶体薄膜的方法，其特征是包括以下步骤：1)称量纯度≥99. 99％的ZnO、MgO和Sb2O3粉末，其中Mg的摩尔百分含量x为0<x<20％，Sb的摩尔百分含量y为0<y<5％，将上述粉末球磨混合均匀、压制成型，然后在1000～1300℃温度下烧结，得掺Sb的Zn1-xMgxO陶瓷靶；2)将步骤1)制得的陶瓷靶和清洗过的衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中，靶材与衬底之间的距离保持为4～6cm，生长室真空度至少抽至10-3Pa，衬底加热升温到300～500℃，生长室通入纯氧气，控制压强为0.1～1Pa，开启激光器，让激光束聚焦到靶面烧蚀靶材，形成余辉，沉积在衬底上，制得Sb掺杂的p型Zn1-xMgxO晶体薄膜，在氧气氛下冷却至室温。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||