| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，通过该方法提供包含有源层、与有源层接触的栅极绝缘膜、和与有源层相交迭的栅电极、其间有栅极绝缘膜的晶体管；通过从一个倾斜的方向将杂质添加到有源层，将杂质添加到有源层中与栅电极相交迭且其间具有栅极绝缘膜的第一区的部分、和有源层中除了第一区外的第二区；且第二区位于相对于第一区的一个方向中。 | ||
| 申请公布号 | CN100539138C | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200410054555.0 | 申请日期 | 2004.07.23 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 关口庆一;肥塚纯一;荒井康行;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/70(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G02F1/13(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁 永 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：形成于基板之上的多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管中每一个包括半导体膜和栅电极，其间插有栅极绝缘膜，其中，所述栅电极包括第一侧边缘和与所述第一侧边缘相对着的第二侧边缘，其中，半导体膜包括沟道形成区、多个第一杂质区和多个第二杂质区，以及其中，所述多个第二杂质区具有比所述多个第一杂质区更低的杂质浓度，且与所述栅电极的所述第一侧边缘交迭。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||