| 发明名称 | 辐射半导体元器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种辐射半导体元器件，其具有一种层状结构，该层状构造包含有一个n-掺杂的界限层(14)、一个p-掺杂的界限层(22)和一个布置在n-掺杂界限层(14)和p-掺杂的界限层(22)之间的活性的、发射光子的层(18)。按照本发明规定，n-掺杂的界限层(14)掺杂有第一种掺杂材料(或者两种相互不同的n-掺杂材料)；而且活性层(18)只掺杂一种与第一种掺杂材料不同的第二种掺杂材料；半导体元器件是一种激光器二极管(10)，其中在活性层(18)和n-掺杂界限层(14)之间设有一个第一波导层(16)，并在活性层(18)和p-掺杂界限层(22)之间设有一个第二波导层(20)；所述第一波导层(16)用第二种掺杂材料掺杂；层状结构(14-22；34-38)以AlInGaP，AlGaAs，InGaAlAs或InGaAsP为基础构成。 | ||
| 申请公布号 | CN100539211C | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200480018204.2 | 申请日期 | 2004.06.25 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | R·布滕代希;N·林德;B·迈尔;I·皮聪卡 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 苏 娟;赵 辛 |
| 主权项 | 1. 具有层状结构的辐射半导体元器件，所述层状结构包含有：-n-掺杂的界限层(14；34)，-p-掺杂的界限层(22；38)，和-位于n-掺杂的界限层(14；34)和p-掺杂的界限层(22；38)之间的、发射光子的活性层(18；36)，其特征在于，-n-掺杂的界限层(14；34)用第一种n-掺杂材料掺杂，而且-活性层(18；36)用一种与第一种n-掺杂材料不同的第二种n-掺杂材料来掺杂，-半导体元器件是一种激光器二极管(10)，其中在活性层(18)和n-掺杂界限层(14)之间设有一个第一波导层(16)，并在活性层(18)和p-掺杂界限层(22)之间设有一个第二波导层(20)，-所述第一波导层(16)用第二种n-掺杂材料掺杂；其中所述层状结构(14-22；34-38)以AlInGaP，AlGaAs，InGaAlAs或InGaAsP为基础构成。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||