发明名称 静电放电保护电路
摘要 一种使一电路免于静电放电伤害的保护电路和方法。其中该方法包括检测一受保护电路的电源是否启动并于电路电源启动时禁能该电路的输出驱动器。该ESD保护电路包含一ESD感测电路和一禁能电路。ESD感测电路包含一连接于VDD和VSS间的RC电路以及一连接于一第二反相器和一节点间的第一反相器,该节点于RC电路中连接一电阻和一电容。禁能电路包含第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,该第一PMOS晶体管自第二反相器接收一EN信号,而第一NMOS晶体管自第一反相器接收一EN信号。当EN为低电位时第一PMOS晶体管连接一第二PMOS晶体管至VDD,而当EN为高电位时第一NMOS晶体管连接一第二NMOS晶体管至VSS。
申请公布号 CN100539141C 申请公布日期 2009.09.09
申请号 CN200610077118.X 申请日期 2006.04.27
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 蒂莫西·戴维斯
分类号 H01L27/02(2006.01)I 主分类号 H01L27/02(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 蒲迈文;黄小临
主权项 1. 一种使一半导体芯片免于静电放电事件伤害的保护电路,包含:一ESD感测电路,包含一RC电路、一第一反相器、和一第二反相器,该RC电路连接于VDD和VSS之间,该第一反相器连接于该第二反相器和该RC电路之间,该第二反相器的输出提供一致能信号EN,该第一反相器的输出提供一信号<overscore>EN</overscore>,其为致能信号EN的反相;以及一禁能电路,用以接收该致能信号EN和<overscore>EN</overscore>信号并可禁能该半导体芯片的一输出驱动器的晶体管。
地址 中国台湾台北县