半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在本发明的构造中，第1源极电极(106)通过通孔(112)连接在导电性衬底(101)上，此外，还形成有第2源极电极(110)。由此，即便是在栅极电极(108)与漏极电极(107)之间施加高的反向电压，也可以效果良好地分散或缓和易于在栅极电极(108)中接近漏极电极(107)的一侧的端部产生的电场集中，故耐压增高。此外，由于作为形成元件形成层的衬底使用了导电性衬底，故在导电性衬底(101)上不需要设置贯穿到背面的通孔。因此，可以保持导电性衬底(101)所需要的强度不变地把第1源极电极(106)与背面电极(115)电连接起来。由此，实现耐压优良、强度高的由III-V族氮化物半导体构成的半导体器件。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：导电层；在上述导电层的上方形成的、由III-V族氮化物半导体构成的沟道层；在上述沟道层之上形成的、由III-V族氮化物半导体构成的肖特基层；在上述肖特基层的上方的一部分上分别形成的第1源极电极、漏极电极和栅极电极；与上述第1源极电极连接的第2源极电极；以及通过贯穿上述沟道层和上述肖特基层的通孔连接上述第1源极电极和上述导电层的布线构件，上述栅极电极设置在夹于上述第1源极电极与上述漏极电极之间的区域上，上述第2源极电极，在从位于第1源极电极的上方的区域向位于上述漏极电极的上方的区域的方向上延伸，上述第2源极电极中、从位于上述栅极电极的靠上述漏极电极侧的边缘的上方的区域向位于上述漏极电极的上方的区域伸长的部分的长度，是大于或等于上述栅极电极与上述漏极电极的间隔的20％的长度。