| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN100539116C | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200510082522.1 | 申请日期 | 2005.07.06 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 古泽健志;三浦典子;后藤欣哉;松浦正纯 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置，具备在半导体衬底上形成的多层布线结构，其特征在于：所述多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0，所述多层布线结构在所述有机硅氧烷类绝缘膜的上表面具有从所述有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层，在所述绝缘层的上层与所述绝缘层相接触地形成有阻挡层绝缘膜，在所述有机硅氧烷类绝缘膜与所述绝缘层内设有布线槽，在所述布线槽内设有铜布线，所述铜布线的上表面与所述阻挡层绝缘膜相接触。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||