程序化单层复晶硅只读存储器单元的方法

摘要

本发明提供一种单层复晶硅可电程序化只读存储器(EPROM)单元的操作方法，该单层复晶硅EPROM单元包含有形成于一P型基底的N型井上的P信道浮置栅极晶体管，以及一N信道耦合组件；该P信道浮置栅极晶体管包含有P⁺漏极、P⁺源极、由该P⁺漏极与P⁺源极所定义的P信道、设于该P信道上的隧穿氧化层，以及设于该隧穿氧化层上的掺杂多晶硅浮置栅极；该N信道耦合组件包含有一多晶硅浮置电极，其电连接该P信道浮置栅极晶体管的掺杂多晶硅浮置栅极，且该多晶硅浮置电极电容耦合至形成于该P型基底上的控制掺杂区，该控制掺杂区与该N型井电性隔绝。

主权项

1. 一种程序化单层复晶硅只读存储器单元的方法，其特征在于，该单层复晶硅EPROM单元包含有形成于一P型基底的N型井上的P信道浮置栅极晶体管，以及一N信道耦合组件；该P信道浮置栅极晶体管包含有P+漏极、P+源极、由该P+漏极与P+源极所定义的P信道、设于该P信道上的隧穿氧化层，以及设于该隧穿氧化层上的掺杂多晶硅浮置栅极；该N信道耦合组件包含有一多晶硅浮置电极，其电连接该P信道浮置栅极晶体管的掺杂多晶硅浮置栅极，且该多晶硅浮置电极电容耦合至形成于该P型基底上的控制掺杂区，该控制掺杂区与该N型井电性隔绝；该方法包含有：使该P型基底接地；使该N型井接地；提供一负电压予该P信道浮置栅极晶体管的该P+漏极；使该P信道浮置栅极晶体管的该P+源极接地或浮置；以及提供一正电压予该控制掺杂区，使该正电压耦合至该掺杂多晶硅浮置栅极，而于其上产生一接近该正电压的耦合电压，造成该P信道浮置栅极晶体管的P信道在关闭状态下，该P+漏极与该N型井的接面产生空乏区，并由于带对带隧穿机制产生电子电洞对，其中电子经由该空乏区电场加速注入该掺杂多晶硅浮置栅极中，完成写入动作。