发明名称 |
二极化的三维只读存储元 |
摘要 |
本发明提出一种三维只读存储器(3D-ROM)中的二极化存储元,该二极化存储元含有两个具有不同基材料的次膜,或与其上下电极具有不同界面。二极化存储元能提高3D-ROM单位阵列的大小,从而提高其可集成性。本发明还提出一种3D-ROM中的无缝存储元,它能提高3D-ROM的成品率。 |
申请公布号 |
CN100538907C |
申请公布日期 |
2009.09.09 |
申请号 |
CN200610159413.X |
申请日期 |
2002.11.17 |
申请人 |
张国飙 |
发明人 |
张国飙 |
分类号 |
G11C17/10(2006.01)I |
主分类号 |
G11C17/10(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1. 一种三维只读存储器中的二极化存储元,其特征在于含有:第一和第二导体;一位于该第一和第二导体之间的二极化的准导通膜,该准导通膜含有第一和第二次膜,该第一和第二次膜具有不同基材料,电流在不同方向上通过该准导通膜时电阻不同。 |
地址 |
610051四川省成都市建设路59号5A-001信箱 |