| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置及其制造方法。在以往的半导体装置中，当对电极焊盘施加过电压时，芯片内的电路元件会被破坏。本发明的半导体装置中，N型外延层(3)由分离区域(4、5)划分为多个元件形成区域。在元件形成区域之一上形成有电阻(1)。在电阻(1)的周围形成具有PN结区域(22、23)的保护元件。PN结区域(22、23)比电阻(1)的PN结区域(21)的结击穿电压低。根据该结构，当对用于向P型扩散层9施加电压的电极用焊盘施加负的ESD电涌时，PN结区域(22、23)击穿，能够保护电阻(1)。 | ||
| 申请公布号 | CN100539148C | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200710006758.6 | 申请日期 | 2007.02.06 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 大竹诚治 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/761(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体层；用作电阻的扩散层，其形成在所述半导体层上；第一结区域，其是所述用作电阻的扩散层与所述半导体层的结区域；保护元件，其配置在所述用作电阻的扩散层周围，具有结击穿电压比所述第一结区域的结击穿电压低的第二结区域。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||