| 发明名称 | 一种硅提纯的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种硅提纯的方法，其中，该方法包括在惰性气体保护下，将含杂质的硅熔融、雾化，在雾化状态下将杂质蒸发。本发明从硅中除去杂质的方法是利用雾化法蒸发除去硅中的磷，极大地增加了蒸发面积，提高了蒸发效率，因而具有很好的除磷效果。用本发明方法可以制得磷含量低于1ppm的太阳能级硅。 | ||
| 申请公布号 | CN101525136A | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200810007729.6 | 申请日期 | 2008.03.07 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 赵志强 |
| 分类号 | C01B33/037(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/037(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王 崇;王凤桐 |
| 主权项 | 1、一种硅提纯的方法，其特征在于，该方法包括在惰性气体保护下，将含杂质的硅熔融、雾化，在雾化状态下将杂质蒸发。 | ||
| 地址 | 518119广东省深圳龙岗区坪山镇横坪公路3001号 | ||