| 发明名称 | 存储装置及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方案通过在金属电极和聚合物铁电体层间的绝缘金属氮化物和/或金属氧化物层中产生过量空穴降低对聚合物铁电存储器器件中的聚合物铁电体层所产生的损害。金属氮化物和/或金属氧化物中的过量空穴俘获金属电极在AC偏置下注入的电子，否则所述电子将会损害聚合物铁电体层。 | ||
| 申请公布号 | CN100538895C | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200580010052.6 | 申请日期 | 2005.03.31 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | M·P·雷纳维卡;G·H·奥斯卡斯多蒂尔 |
| 分类号 | G11C13/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C13/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 段晓玲 |
| 主权项 | 1. 一种存储装置，所述装置包括：第一金属电极层；邻近所述第一金属电极层的金属氮化物层，其中所述金属氮化物层中包含过量的空穴，且其中所述金属氮化物层为以下两者之一(a)掺杂了铪或(b)在过量氮存在下沉积；邻近所述金属氮化物层的聚合物铁电体层；邻近所述聚合物铁电体层的金属氧化物层；和邻近所述金属氧化物层的第二金属电极层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||