叠层型光电动势装置

摘要

本发明的光电动势装置，在光入射侧配置有将非晶硅层(8)作为光电变换层的光电动势组件，在其后侧配置有将微晶硅层(5)作为光电变换层的光电动势组件，其特征在于，将利用红外吸收分光法测量作为光电变换层的非晶硅层(8)和微晶硅层(5)所得到的Si-H拉伸模式的峰值面积设定为I[_Si-H]，将Si-O拉伸模式的峰值面积设定为I[_Si-O]，将它们的比设定为α(＝I[[_Si-O]/I[_Si-H])时，第二光电动势组件的作为光电变换层的微晶硅层(5)的α₂大于第一光电动势组件的作为光电变换层的非晶硅层(8)的α₁，而且，第二光电动势组件的短路电流Isc₂大于第一光电动势组件的短路电流Isc₁。

主权项

1. 一种叠层型光电动势装置，在光入射侧设置有第一光电动势组件，该第一光电动势组件由叠层一个导电型的非单晶半导体层、实质上本征并且有助于发电的作为光电变换层的非晶硅层、和其它导电型非单晶半导体层构成，在相对于光入射设置有在所述第一光电动势组件后侧的第二光电动势组件，该第二光电动势组件由叠层一个导电型的非单晶半导体层、实质上本征且有助于发电的作为光电变换层的微晶硅层、和其它导电型非单晶半导体层构成，其特征在于：将利用红外吸收分光法测量作为光电变换层的所述非晶硅层和所述微晶硅层所得到的Si-H拉伸模式的峰值面积设定为I[Si-H]，将Si-O拉伸模式的峰值面积设定为I[Si-O]，将它们的比设定为α，其中α＝I[Si-O]/I[Si-H]时，所述第二光电动势组件的作为光电变换层的所述微晶硅层的α2大于所述第一光电动势组件的作为光电变换层的所述非晶硅层的α1，而且所述第二光电动势组件的短路电流Isc2大于所述第一光电动势组件的短路电流Isc1。