| 发明名称 | 封装半导体器件和预制连接器的方法 | ||
| 摘要 | 一种封装第一器件(12，102)的方法，该第一器件具有第一主表面和第二主表面，该方法包括：在第一器件的第二主表面上和第一器件的侧面周围形成第一层(14，104)，并且把第一器件的第一主表面暴露，其中第一层是从由封装物和聚合物组成的群组中选出来的；在第一器件的第一主表面上形成第一电介质层(52，152，170)；在第一电介质层中形成过孔(30，32，128)；在过孔内和在第一电介质层的一部分上形成种籽层(38，40，136)；将连接器物理地耦合到种籽层(82，116)；以及在种籽层上镀敷导电材料以在第一过孔内和在第一电介质层的一部分上形成第一互连(90，92，144，164)。 | ||
| 申请公布号 | CN101529586A | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200780039340.3 | 申请日期 | 2007.09.27 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | M·A·曼格鲁姆;K·R·布尔克 |
| 分类号 | H01L23/28(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 1.一种封装第一器件的方法，该第一器件具有第一主表面和第二主表面，该方法包括：在所述第一器件的第二主表面上方和所述第一器件的侧面周围形成第一层，并且使所述第一器件的所述第一主表面暴露，其中所述第一层是从由封装物和聚合物组成的组中选出的；在所述第一器件的所述第一主表面上方形成第一电介质层；在所述第一电介质层中形成过孔；在所述过孔内和在所述第一电介质层的一部分上方形成种籽层；将连接器物理地耦合到所述种籽层；以及在所述种籽层上方镀敷导电材料以在所述第一过孔内和在所述第一电介质层的一部分上方形成第一互连。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||