制程控制方法及半导体制造方法

摘要

本发明提供一种制程控制方法及半导体制造方法，具体涉及一种利用具有加热区域的加热装置的制程控制方法。首先，指定一标的关键尺寸图。取得对应被在一基线设定下的加热装置进行处理的一基材的一基线关键尺寸图。取得对应被在一原始设定下的加热装置进行处理的一基材的一原始关键尺寸图。对于每一加热区域，取得对应被在一偏移的情况下的加热装置进行处理的一基材的一偏移关键尺寸图。加热装置的温度分布可以依据由基线关键尺寸图与标的关键尺寸图所定义的误差关键尺寸图、由原始关键尺寸图与偏移关键尺寸图所定义的基本函数、以及利用基本函数展开误差关键尺寸图的展开系数来进行调整。本发明改善了关键尺寸的一致性。

主权项

1. 一种制程控制方法，适用于具有多个加热区域的一加热装置，所述制程控制方法包括下列步骤：于一基线设定下，当该加热装置对一第一基材进行处理时，通过量测该第一基材于既定位置的关键尺寸，以取得一基线关键尺寸图W；自该基线关键尺寸图中对应于在每一该既定位置的关键尺寸值减去一标的关键尺寸图M的关键尺寸值，以计算出一误差关键尺寸图ΔW；于一偏移情况下，该加热装置对一第二基材进行处理，而该加热区域i的温度由一原始设定偏离一既定值ΔTi，此时通过量测该第二基材的该既定位置的关键尺寸，以取得每一该加热区域i的一偏移关键尺寸图Wi；自该偏移关键尺寸图Wi中对应于每一该既定位置的关键尺寸值减去一原始关键尺寸图的关键尺寸值，以计算出每一该加热区域i的基本函数Pi；收集每一该基本函数Pi的展开系数ci，并经由该基本函数展开该误差关键尺寸图ΔW；以及依据该误差关键尺寸图ΔW、该展开系数ci与该基本函数调整对应于该加热装置中的每一该加热区域i的该基线设定。