| 发明名称 | 制造包括栓塞的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成绝缘层；利用硬掩模图案来蚀刻绝缘层以形成接触孔，该硬掩模图案包括多晶硅；用导电层填充接触孔；蚀刻导电层以在接触孔中形成栓塞；利用包括HBr和Cl<sub>2</sub>的气体混合物的蚀刻气体移除残留的硬掩模图案以暴露出栓塞的上部并且使该上部突出在绝缘层上方以及在突出的栓塞上和在栓塞的上部周围形成金属线。 | ||
| 申请公布号 | CN100539073C | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200610156430.8 | 申请日期 | 2006.12.31 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 韩基贤;南基元 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括；在衬底上形成绝缘层；利用硬掩模图案来蚀刻绝缘层以形成接触孔，所述硬掩模图案包括多晶硅；用导电层填充接触孔；蚀刻导电层以在接触孔中形成栓塞；利用包括HBr和Cl2的气体混合物的蚀刻气体移除残留的硬掩模图案以暴露栓塞的上部，使得所述栓塞的上部突出在绝缘层上方；和在突出的栓塞上和在栓塞上部周围形成金属线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||