发明名称 |
具有附加ESD注入的横向双极晶体管 |
摘要 |
半导体器件(10)包括第一导电类型(例如p型)的半导体体区(12)。第二导电类型(例如n型)的第一掺杂区域(14)布置在半导体体区(12)的上表面。第二导电类型的第二掺杂区域(16)布置在半导体体区(12)的上表面并通过隔离区域(18)与第一掺杂区域(14)分离。第一接触(26)位于第一掺杂区域(14)之上并与之电耦合,第二接触(28)位于第二掺杂区域(16)之上并与之电耦合。第一导电类型的第三掺杂区域(32)布置在第一掺杂区域(14)之下的半导体体区(12)中。 |
申请公布号 |
CN100539183C |
申请公布日期 |
2009.09.09 |
申请号 |
CN200610068320.6 |
申请日期 |
2006.03.29 |
申请人 |
英飞凌科技股份公司 |
发明人 |
J·施奈德;M·温德尔 |
分类号 |
H01L29/735(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/735(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
刘 红;梁 永 |
主权项 |
1. 一种半导体器件,包括:第一导电类型的半导体体区;布置在半导体体区中的集成电路;与所述集成电路耦合的节点;第二导电类型的第一掺杂区域,布置在半导体体区的上表面,第二导电类型不同于第一导电类型;第二导电类型的第二掺杂区域,布置在半导体体区的上表面;隔离区域,布置在第一掺杂区域和第二掺杂区域之间的半导体体区中;第一接触,位于第一掺杂区域之上并将所述第一掺杂区域与所述节点电耦合;第二接触,位于第二掺杂区域之上并将所述第二掺杂区域与电源电压节点电耦合;和第一导电类型的第三掺杂区域,布置在第一掺杂区域之下的半导体体区内,其中所述半导体器件还包括布置在半导体体区表面的第一导电类型的第四掺杂区域;布置在第二掺杂区域和第四掺杂区域之间的半导体体区中的第二隔离区域;第一导电类型的第五掺杂区域,布置在第二掺杂区域之下的半导体体区中,第一导电类型的第六掺杂区域,布置在半导体体区的表面;第三隔离区域,布置在第一掺杂区域和第六掺杂区域之间的半导体体区中;接地节点,电耦合到第四掺杂区域和第六掺杂区域;第一电源电压节点,电耦合到第一掺杂区域;以及第二电源电压节点,电耦合到第二掺杂区域。 |
地址 |
德国慕尼黑 |