有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜及制备方法

摘要

本发明公开了一种具有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜及制备方法。在MgO基板一面外延沉积LNO镍酸锂透明导电层LNO薄膜，再在LNO薄膜上外延制备SBN薄膜。其制备步骤如下：首先以碳酸锂，氧化镍，氧化铌，碳酸锶，碳酸钡为原料，用固相烧结法分别制备镍酸锂靶材和铌酸锶钡靶材；其次将(001)MgO基板清洗后放入反应室，反应室抽真空，并加热基板，以氧气为保护气体，引入反应室中，脉冲激光溅射靶材，在基板上先后外延沉积镍酸锂导电电极和铌酸锶钡薄膜。本发明制备方法简单，制得的铌酸锶钡薄膜为(001)方向外延生长，薄膜外延性好，质量高，电光系数大(r33可达180～230pm/V)，具有良好的应用前景。

主权项

1、一种有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜，其特征在于：在氧化镁基板(1)一面外延沉积透明导电层镍酸锂薄膜(2)，再在透明导电层镍酸锂薄膜(2)上外延制备铌酸锶钡薄膜(3)。