发明名称 磁控溅射-激光加热复合渗镀工艺及设备
摘要 本发明公开了磁控溅射-激光加热复合渗镀工艺及设备,利用磁控溅射和激光加热装置在导电工件表面形成包括金属元素和非金属元素在内的扩散层、沉积层或扩散层+沉积层的单一或复合渗镀层。本发明的优点在于:利用磁控溅射靶,可以提供充足的欲渗合金元素;利用激光加热,可以在很短时间将被渗材料加热至高温使渗入速度大大提高;渗金属的真空度,比一般的合金化方法提高至少1个数量级,可大大提高被渗工件的表面质量;渗镀可以连续进行,可实现大面积大批量生产。
申请公布号 CN100537835C 申请公布日期 2009.09.09
申请号 CN200710048386.3 申请日期 2007.01.25
申请人 桂林电子科技大学 发明人 高原;徐晋勇;高清;郑英;唐光辉;程东
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 代理人 罗玉荣
主权项 1. 磁控溅射-激光加热复合渗镀工艺,其特征是:该方法按顺度依次包括下列步骤:(a)将被渗工件置于真空容器内的纵向往复行走机构和横向往复行走机构上;(b)将磁控溅射靶置于被渗工件的上方;(c)抽真空达极限真空度3×10-3Pa;(d)充入气体介质到工作真空度;(e)给磁控溅射靶加入磁控溅射电源;(f)激光扫描加热被渗工件表面,在被渗工件表面形成包括金属元素和非金属元素在内的扩散层和沉积层的复合渗镀层。
地址 541004广西壮族自治区桂林市金鸡路1号桂林电子科技大学