| 发明名称 | 低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法。这种低蚀刻性光刻胶清洗剂包含(a)季胺氢氧化物，(b)二甲基亚砜，(c)通式见上述的烷基二醇芳基醚及其衍生物，其中R<sub>1</sub>为C<sub>6-18</sub>芳基；R<sub>2</sub>为H、C<sub>1-18</sub>烷基或C<sub>6-18</sub>芳基，m＝2-6，n＝1-6，(d)乙醇胺，(e)水和(f)缓蚀剂。该清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时能有效地抑制二氧化硅、Cu、Pb和Sn等金属以及低k材料等的腐蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN101529339A | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200780037477.5 | 申请日期 | 2007.11.12 |
| 申请人 | 安集微电子（上海）有限公司 | 发明人 | 刘兵;彭洪修;史永涛 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | PCT国内申请，权利要求书已公开。 | ||
| 地址 | 201203中国上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室 | ||