形成半导体器件的布线层的方法

摘要

本发明提供了一种形成半导体器件的布线层的方法，其包括形成具有第一厚度的第一层间绝缘层和在该第一层间绝缘层中形成第一接触塞，该第一厚度对应于将要形成在支撑层上的层间绝缘层的厚度的一部分。该方法还包括在第一接触塞和第一层间绝缘层上形成具有第二厚度的第二层间绝缘层，其中第二厚度对应于层间绝缘层的厚度的其余部分，以及在第二层间绝缘层中形成连接到第一接触塞的第二接触塞，从而形成包括第一接触塞和第二接触塞的局部布线层。

主权项

1.一种形成半导体器件的布线层的方法，所述方法包括：形成具有第一厚度的第一层间绝缘层，所述第一厚度与将要在支撑层上形成的层间绝缘层的厚度的一部分相对应；在所述第一层间绝缘层中形成第一接触塞；在所述第一接触塞和所述第一层间绝缘层上形成具有第二厚度的第二层间绝缘层，从而形成所述层间绝缘层，其中所述第二厚度与所述层间绝缘层的厚度的其余部分相对应；在所述第二层间绝缘层中形成连接到所述第一接触塞的第二接触塞，从而形成包括所述第一接触塞和所述第二接触塞的局部布线层。