具有未掺杂源极与汲极区的陷入储存快闪记忆胞结构

摘要

本发明描述制造氮化物捕捉电可抹除可程式化唯读记忆体快闪记忆体的方法，其中每个记忆体单元使用硅翼片来形成氮化物捕捉电可抹除可程式化唯读记忆体快闪单元，在所述氮化物捕捉电可抹除可程式化唯读记忆体快闪单元中，源极区域和汲极区域均未掺杂。一行氮化物捕捉记忆体单元中的所选择的多晶硅闸极的每个邻近多晶硅闸极用于产生反转区域，充当用于传送所需电压的源极区域或汲极区域，其在每个记忆体单元的所述源极区域和所述汲极区域均未掺杂的情况下保存记忆体单元的密度。所述快闪记忆体包括与多个硅翼片层交叉的多个多晶硅层。

主权项

1、一种快闪记忆体阵列，其特征在于其包括：第一电荷捕捉记忆体单元，具有覆盖第一电荷捕捉薄膜的闸极电极、未掺杂的源极区域和未掺杂的汲极区域；第二电荷捕捉记忆体单元，邻近所述第一电荷捕捉记忆体单元的第一侧安置，所述第二电荷捕捉记忆体单元具有覆盖第二电荷捕捉薄膜的闸极电极、未掺杂的源极区域和未掺杂的汲极区域；第三电荷捕捉记忆体单元，邻近所述第一电荷捕捉记忆体单元的第二侧安置，所述第三电荷捕捉记忆体单元具有覆盖第三电荷捕捉薄膜的闸极电极、未掺杂的源极区域和未掺杂的汲极区域；和硅翼片层，越过所述第一电荷捕捉记忆体单元、所述第二电荷捕捉记忆体单元和所述第三电荷捕捉记忆体单元正交延伸。