陶瓷膜及其制造方法和半导体装置及压电元件

摘要

陶瓷膜的制造方法，包括使原材料体20结晶化而下层陶瓷膜30的过程，原材料体20，以种类不同的原料混合存在的状态含有，种类不同的原料彼此存在在原料的结晶化中的晶体生长条件和晶体生长机构的至少一方相互不同的关系。按照本发明的制造方法，能够改善陶瓷膜的表面形态。

主权项

1. 陶瓷膜的制造方法，其包括：在基体上形成用于生成强电介质的主液层的工序，在上述主液层之上形成由比该主液层结晶化温度低的材料构成、且结晶各向同性地生长的用于生成强电介质或顺电体的副液层的工序，以及通过热处理使上述主液层和上述副液层结晶化，形成主结晶层和副结晶层的工序，其中上述主液层由用于形成Bi系层状钙钛矿型强电介质层或PbZrTiO系强电介质层的材料构成，上述副液层由用于形成ABO系的氧化物的材料构成，其中前述B位置是Ge，前述A位置是Ce、Zr、Sr或Bi。