| 发明名称 | 处理半导体加工部件的方法及由之形成的部件 | ||
| 摘要 | 公开了各种半导体加工部件及其制造方法。一个实施方式中，半导体加工部件由SiC形成，部件的外表面部分的表面杂质水平不大于体杂质水平的10倍。另一个实施方式中，处理半导体加工部件的方法包括将部件在升高温度下暴露于卤素气体中，氧化所述部件形成氧化层，并除去该氧化层。 | ||
| 申请公布号 | CN101527256A | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200910007098.2 | 申请日期 | 2004.04.14 |
| 申请人 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 发明人 | Y·纳伦德拉;R·F·巴克利;A·G·黑尔;R·R·亨斯特 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈哲锋 |
| 主权项 | 1.一种处理半导体加工部件的方法，该方法包括下面步骤：使在部件表面部分包含的污染物在升高温度下反应，形成反应产物，所述的外表面部分的表面粗糙度小于约2微米。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||