| 发明名称 | 具有合并的MOS和双极器件的压控振荡器和混频器 | ||
| 摘要 | 一种压控振荡器包括：第一合并的器件，其具有第一双极晶体管和第一MOS晶体管，所述第一双极晶体管具有与所述第一MOS晶体管的一个源/漏结共用共同有源区的集电极，和与所述第一MOS晶体管的其他源/漏结共用共同有源区的发射极；第二合并的器件，其具有第二双极晶体管和第二MOS晶体管，所述第二双极晶体管具有与所述第二MOS晶体管的一个源/漏结共用共同有源区的集电极，和与所述第二MOS晶体管的其他源/漏结共用共同有源区的发射极；和第一电感，其与所述第一双极晶体管的集电极和所述第二双极晶体管的基极均相连。 | ||
| 申请公布号 | CN101527540A | 申请公布日期 | 2009.09.09 |
| 申请号 | CN200910000787.0 | 申请日期 | 2009.01.09 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 庄建祥;薛福隆 |
| 分类号 | H03B5/12(2006.01)I;H03L7/099(2006.01)I;H03D7/14(2006.01)I | 主分类号 | H03B5/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 | 代理人 | 梁 永 |
| 主权项 | 1、一种压控振荡器，包括：第一合并的器件，其具有第一双极晶体管和第一MOS晶体管，所述第一双极晶体管具有与所述第一MOS晶体管的一个源/漏结共用共同有源区的集电极，和与所述第一MOS晶体管的其他源/漏结共用共同有源区的发射极；第二合并的器件，其具有第二双极晶体管和第二MOS晶体管，所述第二双极晶体管具有与所述第二MOS晶体管的一个源/漏结共用共同有源区的集电极，和与所述第二MOS晶体管的其他源/漏结共用共同有源区的发射极；和第一电感，其与所述第一双极晶体管的集电极和所述第二双极晶体管的基极均相连。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||