双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构的制造方法

摘要

本发明提供一种双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构及其制造方法。该双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构包括底层介电层和顶层介电层。底层介电层与顶层介电层的原子成分相同，但介电常数值较高，且底层介电层成为顶层介电层的蚀刻停止层，顶层介电层可作为化学机械研磨停止层。双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构的制造方法包括形成具有第一成孔剂含量的底层介电层；形成顶层介电层，其成孔剂含量较上述第一成孔剂含量高；进行固化工艺，以使底层介电层残留的成孔剂含量比顶层介电层少。本发明使得顶部介电层的介电常数较低，同时维持与现有技术较高介电常数的单层介电层同样的薄膜硬度，并可降低工艺成本。

主权项

1. 一种双层多孔性介电层的制造方法，包括下列步骤：在基板的表面上形成第一介电层，其具有第一成孔剂含量；在该第一介电层上形成第二介电层，其具有第二成孔剂含量，该第二成孔剂含量大于该第一成孔剂含量；对该第一介电层和该第二介电层进行第一固化工艺，其中去除该第一介电层的所有的成孔剂，以及去除该第二介电层的部分而非全部的成孔剂；在该第二介电层上形成第三介电层；以及对该第一介电层、该第二介电层和该第三介电层进行第二固化工艺，其中第二固化工艺期间去除该第二介电层的所有的成孔剂。