发明名称 自组装单层的形成
摘要 在基材的至少一个表面上形成SAM的方法,通过将2-单,或2,2-二取代的1,3-二硫杂环戊烷施加到所述表面上从而在所述表面上形成由此制备的SAM。
申请公布号 CN100537676C 申请公布日期 2009.09.09
申请号 CN200480033909.1 申请日期 2004.11.16
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 D·布尔丁斯基
分类号 C09D11/00(2006.01)I;B05D1/28(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I 主分类号 C09D11/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 韦欣华;段晓玲
主权项 1. 在基材的至少一个表面上形成SAM的方法,通过将2-单,或2,2-二取代的1,3-二硫杂环戊烷施加到所述表面从而在所述表面上形成由此制备的SAM。
地址 荷兰艾恩德霍芬