具有镍铂矽接触层的ＭＯＳ电晶体及其制造方法

摘要

本发明提供一种MOS电晶体和制造MOS电晶体的方法。一个例示性方法包含提供矽基底，该矽基底具有配置在该矽基底之表面的杂质掺杂区域。第一层为使用包括镍和第一浓度之铂的第一溅镀靶材而被溅镀沉积至该杂质掺杂区域上。第二层为使用括镍和第二浓度之铂的第二溅镀靶材而被溅镀沉积至该第一层上，其中，铂的该第二浓度小于该第一浓度。